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MHz带晶体谐振器

型号 尺寸（mm） 频率范围(MHz) 频率公差（×10-6）@+25℃ 频率温度特性（×10-6） 运行温度范围(℃) 负载电容(pF) 激励电平(μW) SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DSX221SH 2.5 2.0 0.5 12 54 ±20 ±30 -30 +85 8,10,12 10
DSX321G 3.2 2.5 0.9 12 64 ±20 ±30 -30 +85 8,10,12 10
DSX321G(H:1.0mm) 3.2 2.5 1.0 7.9 12 ±20 ±30 -30 +85 8,10,12 10
DSX321SH 3.2 2.5 0.75 12 50 ±20 ±30 -30 +85 8,10,12 10

用于基础设施高精度晶体振荡器［TCXO］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率温度特性 （×10-6） @ -40 to +85℃ 电源电压（V） 压控功能 待机功能 同一频率2输出 温度传感器输出功能 SSS
L W H(max.) min. max.
DSA535SGA 5.0 3.2 1.5 CS/CMOS 10 52 ±0.1 +2.3 to +3.63 ○ ○ - -
DSA535SGB 5.0 3.2 1.5 CS/CMOS 10 52 ±0.1 +2.3 to +3.63 ○ ○ - -
DSB535SGA 5.0 3.2 1.5 CS/CMOS 10 52 ±0.1 +2.3 to +3.63 - ○ - -

差分输出晶体振荡器 ［SPXO］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差 （×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DS1008JC (Arkh.3G) 1.05 0.85 0.26 HD-LVDS 156.25 156.25 ±100 -40 +85 +3.3 35 1-sss
DS1008JJ (Arkh.3G) 1.05 0.85 0.26 LVDS 156.25 156.25 ±100 -40 +85 +2.5,+3.3 26 1-sss
DS1008JK (Arkh.3G) 1.05 0.85 0.26 LV-PECL 156.25 156.25 ±100 -40 +85 +3.3 57 1-sss
DS2016AD (Arkh.2G) 2.0 1.6 0.8 HCSL 100 156.25 ±50 -40 +125 +1.8,+2.5,+3.3 40 1-sss
DS2016AJ (Arkh.2G) 2.0 1.6 0.8 LVDS 100 156.25 ±50 -40 +125 +1.8,+2.5,+3.3 20 1-sss
DS2016AK (Arkh.2G) 2.0 1.6 0.8 LV-PECL 100 156.25 ±50 -40 +125 +2.5,+3.3 60 1-sss
DS2520AD (Arkh.2G) 2.5 2.0 0.95 HCSL 100 156.25 ±50 -40 +125 +1.8,+2.5,+3.3 40
DS2520AJ (Arkh.2G) 2.5 2.0 0.95 LVDS 100 156.25 ±50 -40 +125 +1.8,+2.5,+3.3 20
DS2520AK (Arkh.2G) 2.5 2.0 0.95 LV-PECL 100 156.25 ±50 -40 +125 +2.5,+3.3 60
DSO223SD 2.5 2.0 0.95 HCSL 13.5 167 ±50 -40 +85 +2.5,+3.3 35
DSO223SJ 2.5 2.0 0.95 LVDS 13.5 167 ±50 -40 +85 +2.5,+3.3 20
DSO223SK 2.5 2.0 0.95 LV-PECL 13.5 167 ±50 -40 +85 +2.5,+3.3 50
DS3225AD (Arkh.2G) 3.2 2.5 1.2 HCSL 100 156.25 ±50 -40 +125 +1.8,+2.5,+3.3 40
DS3225AJ (Arkh.2G) 3.2 2.5 1.2 LVDS 100 156.25 ±50 -40 +125 +1.8,+2.5,+3.3 20
DS3225AK (Arkh.2G) 3.2 2.5 1.2 LV-PECL 100 156.25 ±50 -40 +125 +2.5,+3.3 60
DSO323SD 3.2 2.5 1.2 HCSL 13.5 212.5 ±50 -40 +85 +2.5,+3.3 35
DSO323SD (低电压型) 3.2 2.5 1.2 HCSL 100 167 ±50 -40 +85 +1.8 50
DSO323SJ 3.2 2.5 1.2 LVDS 13.5 212.5 ±50 -40 +85 +2.5,+3.3 20
DSO323SJ (低电压型) 3.2 2.5 1.2 LVDS 100 167 ±50 -40 +85 +1.8V 25
DSO323SK 3.2 2.5 1.2 LV-PECL 13.5 212.5 ±50 -40 +85 +2.5,+3.3 50
DSO533SJ 5.0 3.2 1.2 LVDS 13.5 212.5 ±50 -40 +85 +2.5,+3.3 20
DSO533SK 5.0 3.2 1.2 LV-PECL 13.5 212.5 ±50 -40 +85 +2.5,+3.3 50

高温支持晶体振荡器 ［SPXO］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差 （×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DSO211SXF 2.0 1.6 0.8 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0 1-sss
DSO221SXF 2.5 2.0 0.9 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0

时钟用晶体振荡器［SPXO］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差 （×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DSO211SXF 2.0 1.6 0.8 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0 1-sss
DS2016AS (Arkh.2G) 2.0 1.6 0.8 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0 1-sss
DS2520AS (Arkh.2G) 2.5 2.0 0.9 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0
DSO221SR 2.5 2.0 0.895 CMOS 0.2 167 ±50 -40 +85 +1.6 to +3.6 1.0 to 8.0
DSO221SXF 2.5 2.0 0.9 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0
DSO221SY 2.5 2.0 0.895 CMOS 1.049 8.5 ±35 -40 +85 +1.6 to +3.6 0.7
DSO321SR 3.2 2.5 1.2 CMOS 0.2 167 ±50 -40 +85 +1.6 to +3.6 1.0 to 8.0
DSO321SRS 3.2 2.5 1.2 CMOS 8.25 66 ±100 -40 +100 +3.3 3.7 to 4.8
DSO321SY 3.2 2.5 1.2 CMOS 1.049 8.5 ±35 -40 +85 +1.6 to +3.6 0.7
DSO531SR 5.0 3.2 1.2 CMOS 0.2 167 ±50 -40 +85 +1.6 to +3.6 1.0 to 8.0
DSO751SR 7.3 4.9 1.7 CMOS 0.2 167 ±50 -40 +85 +1.6 to +3.6 1.0 to 8.0

低消耗电力MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差（×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO8009
  • 2.0
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 7.0
  • 1.6
  • 2.0
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 0.8
  • 0.8
  • 0.8
  • 0.8
  • 1.0
 LVCMOS 115 137 ±20, ±25, ±50 -40 +85 +1.8 to +3.3 +3.6 to +5.4

低相位抖动MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差（×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO8208
  • 2.7
  • 3.2
  • 5.0
  • 7.0
  • 2.4
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 0.8
  • 0.8
  • 0.8
  • 1.0
 LVCMOS 1.0 80 ±10, ±20, ±25, ±50 -40 +85 +1.8 to +3.3 +29 to +36
MO8209
  • 2.7
  • 3.2
  • 5.0
  • 7.0
  • 2.4
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 0.8
  • 0.8
  • 0.8
  • 1.0
 LVCMOS 80 220 ±10, ±20, ±25, ±50 -40 +85 +1.8 to +3.3 +29 to +36
MO9120
  • 3.2
  • 5.0
  • 7.0
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 0.8
  • 0.8
  • 1.0
 LVPECL,LVDS 25 212.5 ±10, ±20, ±25, ±50 -40 +85 +2.5 to +3.3 LVPECL +61 to +69 / LVDS +47 to +55
MO9121
  • 3.2
  • 5.0
  • 7.0
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 0.8
  • 0.8
  • 1.0
 LVPECL, LVDS 1.0 220 ±10, ±20, ±25, ±50 -40 +85 +2.5 to +3.3 LVPECL +61 to +69 / LVDS +47 to +55
MO9122
  • 3.2
  • 5.0
  • 7.0
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 0.8
  • 0.8
  • 1.0
 LVPECL, LVDS 220 625 ±10, ±20, ±25, ±50 -40 +85 +2.5 to +3.3 LVPECL +61 to +69 / LVDS +47 to +55

时钟用MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差（×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO2002
  • 2.9
  • 2.8
  • 1.3
 LVCMOS 115 137 ±20, ±25, ±50 -40 +85 +1.8 to +3.3 +3.6 to +5.4

温度补偿MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 输出频率范围（MHz） 频率温度特性 （×10-6） 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO5156
  • 5.0
  • 3.2
  • 0.95
 LVCMOS, Clipped Sinewave 1.0 60 ±0.5, ±1.0, ±2.5 -40 +105 +2.25 to +3.63 +40 to +50
MO5157
  • 5.0
  • 3.2
  • 0.95
 LVCMOS 60 220 ±0.5, ±1.0, ±2.5 -40 +105 +2.25 to +3.63 +40 to +50
MO5356
  • 5.0
  • 3.2
  • 0.95
 LVCMOS, Clipped Sinewave 1.0 60 ±0.1, ±0.2, ±0.25 -40 +105 +2.25 to +3.63 +40 to +50
MO5357
  • 5.0
  • 3.2
  • 0.95
 LVCMOS 60 220 ±0.1, ±0.2, ±0.25 -40 +105 +2.25 to +3.63 +40 to +50
MO5358
  • 5.0
  • 3.2
  • 0.95
 LVCMOS, Clipped Sinewave 1.0 60 ±0.05 0 +70 +2.25 to +3.63 +40 to +50
MO5359
  • 5.0
  • 3.2
  • 0.95
 LVCMOS 60 220 ±0.05 0 70 +2.25 to +3.63 +40 to +50