请从下列项目中选择用途
进一步限定用途
产品一览表

MHz带晶体谐振器

型号 尺寸（mm） 频率范围(MHz) 频率公差（×10-6）@+25℃ 频率温度特性（×10-6） 运行温度范围(℃) 负载电容(pF) 激励电平(μW) SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DX1008JS (Arkh.3G) 1.0 0.8 0.13 48 120 ±20 ±30 -30 +85 8,10,12 10 1-sss
DX1008JT (Arkh.3G) 1.0 0.8 0.19 59.97 76.8 ±20 ±30 -30 +85 5,8,10,12 10 1-sss
DSX211G 2.0 1.6 0.8 20 64 ±20 ±30 -30 +85 8,10,12 10 1-sss
DSX321G 3.2 2.5 0.9 12 64 ±20 ±30 -30 +85 8,10,12 10
DSX321G(H:1.0mm) 3.2 2.5 1.0 7.9 12 ±20 ±30 -30 +85 8,10,12 10

晶体振荡器［SPXO］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(kHz) 频率公差 （×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（μA） 温度补偿类型 SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DSO1612AR（kHz） 1.6 1.2 0.58 CMOS 32.768 32.768 ±50 -40 +85 +1.6 to +3.6 32 - 1-sss

时钟用晶体振荡器［SPXO］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差 （×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DS1008JN (Arkh.3G) 1.05 0.85 0.24 CMOS 1.0 100 ±50 -40 +125 +0.8 to +1.6 1.9 1-sss
DS1008JS (Arkh.3G) 1.05 0.85 0.24 CMOS 1 100 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.8 1-sss
DSO1612AR 1.6 1.2 0.58 CMOS 0.584375 80 ±50 -40 +85 +1.6 to +3.6 1.7 to 4.2 1-sss
DSO221SR 2.5 2.0 0.895 CMOS 0.2 167 ±50 -40 +85 +1.6 to +3.6 1.0 to 8.0
DSO221SY 2.5 2.0 0.895 CMOS 1.049 8.5 ±35 -40 +85 +1.6 to +3.6 0.7

kHz帯MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(kHz) 频率温度特性 （×10-6） 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（μA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO1532
  • 1.5
  • 0.8
  • 0.6
 NanoDriveTM, LVCMOS 32.768 32.768 ±100 -40 +85 +1.5 to +3.63 +0.9

kHz带温度补偿MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(kHz) 频率温度特性 （×10-6） 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（μA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO1576
  • 1.5
  • 0.8
  • 0.6
 LVCMOS 0.001 2500 ±5,±20 -40 +85 +1.8 +20

低消耗电力MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差（×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO8021
  • 1.5
  • 0.8
  • 0.6
 LVCMOS 1.0 26 ±20, ±50, ±100 -20 +85 +1.8 +0.06 to +0.30