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产品一览表

MHz带晶体谐振器

型号 尺寸（mm） 频率范围(MHz) 频率公差（×10-6）@+25℃ 频率温度特性（×10-6） 运行温度范围(℃) 负载电容(pF) 激励电平(μW) SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DSX211G（工业设备用） 2.0 1.6 0.8 20 64 ±20 ±50 -40 +105 8,10,12 10 1-sss
DSX211SH（工业设备用） 2.0 1.6 0.5 16 60 ±20 ±50 -40 +105 8,10,12 10 1-sss
DSX221SH（工业设备用） 2.5 2.0 0.5 12 54 ±20 ±50 -40 +105 8,10,12 10
DSX321G（工业设备用） 3.2 2.5 0.9 12 64 ±20 ±50 -40 +105 8,10,12 10
DSX321G（工业设备用） H:1.0mm 3.2 2.5 1.0 7.9 12 ±20 ±50 -40 +105 8,10,12 10
DSX321SH（工业设备用） 3.2 2.5 0.75 12 50 ±20 ±50 -40 +105 8,10,12 10

温度补偿晶体振荡器［TCXO］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(kHz) 频率公差 （×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（μA） 温度补偿类型 SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DSK1612ATD 1.6 1.2 0.65 CMOS 32.768 32.768 ±5.0 -40 +85 +1.5 to +3.63 1.9 to 3.12 数字 1-sss

实时时钟模块［RTC］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(kHz) 频率公差 （×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（μA） 温度补偿类型 SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DD3225TR 3.2 2.5 1.1 CMOS 32.768 32.768 ±11.5 -40 +85 +1.3 to +5.5 2.1 to 4.0 -
DD3225TS 3.2 2.5 1.1 CMOS 32.768 32.768 ±7.0 -40 +105 +1.3 to +5.5 2.1 to 4.0 数字

晶体振荡器［SPXO］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(kHz) 频率公差 （×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（μA） 温度补偿类型 SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DSO1612AR（kHz） 1.6 1.2 0.58 CMOS 32.768 32.768 ±50 -40 +85 +1.6 to +3.6 32 - 1-sss
DSO221SY（kHz） 2.5 2.0 0.895 CMOS 32.768 32.768 ±35 -40 +85 +1.6 to +3.6 18 -
DSO321SY（kHz） 3.2 2.5 1.2 CMOS 32.768 32.768 ±35 -40 +85 +1.6 to +3.6 18 -

高温支持晶体振荡器 ［SPXO］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差 （×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DSO211SXF 2.0 1.6 0.8 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0 1-sss
DSO221SXF 2.5 2.0 0.9 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0

时钟用晶体振荡器［SPXO］

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差 （×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
DSO211SXF 2.0 1.6 0.8 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0 1-sss
DS2016AS (Arkh.2G) 2.0 1.6 0.8 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0 1-sss
DS2520AS (Arkh.2G) 2.5 2.0 0.9 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0
DSO221SBM 2.5 2.0 0.895 CMOS 3.25 52 ±50 -40 +85 +5.0 8.0
DSO221SXF 2.5 2.0 0.9 CMOS 1.0 125 ±50 -40 +125 +1.6 to +3.6 1.7 to 10.0
DSO321SBM 3.2 2.5 1.2 CMOS 0.7 90 ±50 -40 +85 +5.0 4.0 to 8.0
DSO321SRS 3.2 2.5 1.2 CMOS 8.25 66 ±100 -40 +100 +3.3 3.7 to 4.8
DSO531SBM 5.0 3.2 1.2 CMOS 0.7 90 ±50 -40 +85 +5.0 4.0 to 8.0
DSO751SBM 7.3 4.9 1.7 CMOS 0.7 90 ±50 -40 +85 +5.0 4.0 to 8.0

kHz帯MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(kHz) 频率温度特性 （×10-6） 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（μA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO1630
  • 2.0
  • 2.9
  • 1.2
  • 2.8
  • 0.6
  • 1.3
 LVCMOS 16.384 32.768 ±100 -40 +105 +1.5 to +3.63 +1.0

kHz带温度补偿MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(kHz) 频率温度特性 （×10-6） 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（μA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO1552
  • 1.5
  • 0.8
  • 0.6
 NanoDriveTM,LVCMOS 32.768 32.768 ±5 over temp. -40 +85 +1.5 to +3.63 +0.99

高温支持MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差（×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO8918
  • 2.0
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 7.0
  • 1.6
  • 2.0
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 0.8
  • 0.8
  • 0.8
  • 0.8
  • 1.0
 LVCMOS 1.0 110 ±20, ±25, ±30, ±50 -40 +125 +1.8 to +3.3 +3.6 to +5.4
MO8919
  • 2.0
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 7.0
  • 1.6
  • 2.0
  • 2.5
  • 3.2
  • 5.0
  • 0.8
  • 0.8
  • 0.8
  • 0.8
  • 1.0
 LVCMOS 115.194 137 ±20, ±25, ±30, ±50 -40 +125 +1.8 to +3.3 +3.6 to +5.4

时钟用MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差（×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO2001
  • 2.9
  • 2.8
  • 1.3
 LVCMOS 1.0 110 ±20, ±25, ±50 -40 +85 +1.8 to +3.3 +3.6 to +5.4

高温支持时钟用MEMS振荡器

型号 尺寸（mm） 输出 频率范围(MHz) 频率公差（×10-6）(含常温偏差) 运行温度范围(℃) 电源电压（V） 消耗电流（mA typ.） SSS
L W H(max.) min. max. min. max.
MO2018
  • 2.9
  • 2.8
  • 1.3
 LVCMOS 1.0 110 ±20, ±25, ±30, ±50 -40 +125 +1.8 to +3.3 +3.6 to +5.4
MO2019
  • 2.9
  • 2.8
  • 1.3
 LVCMOS 115.194 137 ±20, ±25, ±30, ±50 -40 +125 +1.8 to +3.3 +3.6 to +5.4