DLO555MBA

优点

  • 专供娱乐产品设备的晶体振荡器
  • TO92形状的小型晶体振荡器
  • 内置旁路电容,可提高抗噪声能力
  • 不使用PLL、倍频电路,采用直接输出振荡频率的电路结构(分频电路根据频率使用)
  • 高速振荡启动(启动时间:1ms)
  • CMOS输出

用途

  • 娱乐产品设备
  • 工业设备

最大额定

项目 符号 规格 单位
电源电压 Vcc -0.5~+6.0 V
输出端子电压 VOUT -0.5~Vcc+0.5 V
输出端子电流 IOUT 10 mA
保存温度范围 T_str -40~+105

一般运行条件

项目 符号 min. typ. max. 单位
电源电压 Vcc 3.0 5.0 5.5 v
输出负载 L_CMOS - - 15 pF
30
运行温度范围 T_opr -10 - +85

一般规格

项目 符号 规格 单位 条件
min. typ. max.
输出频率范围 f0 1.5 - 54 MHz L_CMOS : 30pF
频率公差 - -100 - +100 ×10-6 T_opr=-10〜+85℃ VCC=+3.0〜+5.5V
-50 +50
长期老化 - - - ±5 ×10-6/年  
消耗电流 ICC - - 8 mA No load
波形对称 SYM 45 - 55 % 50% VCC level
0电平电压 VOL - - VCC×0.1 V  
1电平电压 VOH VCC×0.9 - - V  
上升时间
下降时间
tr,tf - - 7.5 ns L_CMOS : 30pF 20〜80% VCC level
振荡启动时间 T_start - - 1 ms VCC达到默认值的90%以后经过的时间
相位噪音 - - -139 - dBc/Hz Offset 1kHz
- -156 - Offset 100kHz
周期抖动(1) tRMS - 2.4 - ps σ
tp-p - 20 - Peak to peak
总抖动(1) tTL - 34 - tDJ+n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)
相位抖动(3) tpj - - 1 10MHz≦f0<40MHz f0 offset12kHz〜5MHz
40MHz≦f0≦54MHz f0 offset12kHz〜20MHz
内置的旁路电容值 Cbp - 0.1 - μF VCC-GND间的电容

(1)通过WAVECREST DTS-2075测量。
(2)tDJ:Deterministic jitter   tRJ:Random jitter
(3)Keysight Technologies E5052B测量。
※ 无需防湿包装管理 Moisture Sensitivity Level: Level1 (IPC/JEDEC J-STD-033)
有关其他规格或者特殊规格请咨询营业部门。

外形尺寸等 (点击看大图)

TEL:+81-79-425-3141
FAX:+81-79-425-1134