MO5358
特長
- 出力周波数：1MHz ~ 60MHz
- 周波数温度特性：±50 x 10-9
- 周波数勾配(ΔF/ΔT)：±1.0 x 10-9/℃
- 動作温度範囲：0℃ ~ +70℃
- 出力：LVCMOS、Clipped Sinewave
用途
- 4G/5G radio, Small cell
- IEEE1588 boundary and grandmaster clocks
- Carrier-grade routers and switches
- Synchronous Ethernet
- Optical transport-SONET/SDH, OTN, Stratum3
- DOCSIS 3.x remote PHY
- GPS disciplined oscillators, Precision GNSS systems
一般仕様
| 項目 | 記号 | Min. | Typ. | Max. | 単位 | 条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 出力周波数範囲 | f | 1 | - | 60 | MHz | |
| 電源電圧 | Vdd | +2.97 | +3.3 | +3.63 | V | Contact KDS for +2.25V to +3.63V continuous supply voltage support |
| +2.7 | +3.0 | +3.3 | ||||
| +2.52 | +2.8 | +3.08 | ||||
| +2.25 | +2.5 | +2.75 | ||||
| 動作温度範囲 | T_use | 0 | - | +70 | ℃ | Commercial, ambient temperature |
| 常温特性 | F_int | -0.5 | - | +0.5 | ×10-6 | Initial frequency at +25℃ inclusive of solder-down shift at 48 hours after 2 reflows |
| 温度特性 | F_stab | -50 | - | +50 | ×10-9 | Referenced to (fmax + fmin)/2 over the specified temperature range |
| 経年変化（1年） | F_aging1 | - | ±0.3 | - | ×10-6 | TA = +25℃ |
| 周波数可変範囲 | PR | ±6.25 | ×10-6 | VC TC-MO mode. Contact KDS for ±12.5, ±25 x 10-6 | ||
| ±6.25, ±10, ±12.5,±25, ±50, ±80, ±100, ±125, ±150, ±200, ±400, ±600, ±800, ±1200, ±1600, ±3200 | DCTC-MO mode. | |||||
| 0レベル制御電圧 | VC_L | - | - | Vdd x 0.1 | V | |
| 1レベル制御電圧 | VC_U | Vdd x 0.9 | - | - | V | |
| 制御電圧入力インピーダンス | VC_z | 8 | - | - | MΩ | |
| 制御電圧入力帯域幅 | VC_c | - | 10 | - | kHz | |
| 周波数変化極性 | - | Positive Slope | - | |||
| 消費電流 | Idd | - | +44 | +53 | mA | F = 19.2MHz, No Load, TC-MO and DC TC-MO mode. |
| - | +48 | +57 | F = 19.2MHz, No Load, VC TC-MO mode. | |||
| OE端子ディスエーブル電流 | I_od | - | +43 | +51 | mA | OE = GND, output is weakly pull down,TC-MO and DC TC-MO mode. |
| - | +47 | +55 | OE = GND, output is weakly pull down, VC TC-MO mode. | |||
| OE端子 0レベル入力電圧 | VIL | - | - | Vdd x 0.3 | V | |
| OE端子 1レベル入力電圧 | VIH | Vdd x 0.7 | - | - | V | |
| 起動時間 | T_start | - | 2.5 | 3.5 | ms | Time to first pulse, measured from the time Vdd reaches 90% of its final value |
| RMSピリオドジッタ | T_jitt | - | 0.8 | 1.1 | ps | f = 10MHz per JESD65 standard |
| LVCMOS 出力 | ||||||
| デューティーサイクル | DC | 45 | - | 55 | % | |
| 0レベル電圧 | VOL | - | - | Vdd x 0.1 | V | IOL = -3mA |
| 1レベル電圧 | VOH | Vdd x 0.9 | - | - | V | IOH = +3mA |
| 立上り、立下り時間 | Tr,Tf | 0.8 | 1.2 | 1.9 | ps | 10% to 90% Vdd |
| RMS 位相ジッタ (ランダム) | T_phj | - | 0.31 | 0.48 | ps | f = 50MHz, Integration bandwidth = 12kHz to 20MHz, -40 to +85℃ |
| Clipped Sinewave 出力 | ||||||
| 出力電圧レベル | Vout | +0.8 | - | +1.2 | V | 10kΩ || 10pF ± 10% |
| 立上り、立下り時間 | Tr,Tf | - | 3.5 | 4.6 | ns | 20% to 80% Vdd, 19.2MHz |
| RMS 位相ジッタ (ランダム) | T_phj | - | 0.31 | 0.45 | ps | f = 60MHz, Integration bandwidth = 12kHz to 20MHz, -40 to +85℃ |
| 梱包単位 | 1000pcs./reel (φ180) | |||||
この他の仕様、または特殊仕様については営業窓口にお問い合わせください。
外形寸法など（クリックすると図が拡大されます）
参考
TEL:(079)425-3141
FAX:(079)425-1134
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